企业简介
中国电子科技集团公司第四十四研究所 main business:null and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
welcome new and old customers to visit our company guidance, my company specific address is: 重庆市南岸区南坪花园路14号（重庆市2514信箱）（400060）.
If you are interested in our products or have any questions, you can give us a message, or contact us directly, we will receive your information, will be the first time in a timely manner contact with you.
中国电子科技集团公司第四十四研究所的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN104241437B | 光电探测器制作过程中清洗硼硅玻璃的方法 | 2016.09.28 | 一种光电探测器制作过程中清洗硼硅玻璃的方法，在清洗硼硅玻璃之前，先对器件进行热氧化处理，然后采用湿法 |
| 2 | CN103634531B | 可见光CCD相机曝光时间控制方法 | 2016.08.24 | 一种可见光CCD相机曝光时间控制方法，包括：用于向CCD相机提供垂直转移控制时序和电子快门控制时序的 |
| 3 | CN104673108B | 在封闭壳体内设置绝缘胶的方法 | 2016.09.14 | 一种在封闭壳体内设置绝缘胶的方法，包括壳体，所述壳体的内腔中设置有电子器件，电子器件表面和壳体内壁所 |
| 4 | CN101221995A | 多层敏感膜光腔结构肖特基势垒红外探测器 | 2008.07.16 | 本发明公开了一种多层敏感膜光腔结构肖特基势垒红外探测器，它包括：金属反射镜、光腔介质、硅化物敏感膜、 |
| 5 | CN103646956B | 带保护膜CCD芯片封装工艺 | 2016.07.06 | 为解决现有技术CCD芯片封装工艺存在的CCD芯片正面易被颗粒物污染和易被划伤，从而导致CCD芯片封装 |
| 6 | CN105812686A | CMOS图像传感器用列模数转换电路 | 2016.07.27 | 一种CMOS图像传感器用列模数转换电路，其创新在于：所述列模数转换电路由比较环节、第一反相器、测试环 |
| 7 | CN106124897A | 能对光电耦合器进行电老炼试验和参数测试的测试系统 | 2016.11.16 | 一种能对光电耦合器进行电老炼试验和参数测试的测试系统，由PC机、测试通道选通模块、多个老炼电路、多个 |
| 8 | CN106611735A | 用于减薄硅片加工的撕膜操作台 | 2017.05.03 | 本发明公开了一种用于减薄硅片加工的撕膜操作台，所述撕膜操作台由底座、支撑板、多根连接柱和连接嘴组成； |
| 9 | CN106601767A | 能缩减电极信号延迟的正照帧转移CCD | 2017.04.26 | 一种能缩减电极信号延迟的正照帧转移CCD，所述正照帧转移CCD包括光敏区、过渡区、存贮区和延展存贮区 |
| 10 | CN105576071B | 一种近红外集成式圆偏态检测探测器及其制备方法 | 2017.04.19 | 本发明公开了一种近红外集成式圆偏态检测探测器及其制备方法，包括介质层基底(4)，在所述介质层基底(4 |
| 11 | CN106556619A | 用于小型光电器件温度循环试验的托盘 | 2017.04.05 | 一种用于小型光电器件温度循环试验的托盘，托盘上端面上设置有一安装台，安装台的上端面上设置有多个安装槽 |
| 12 | CN106549078A | 四象限雪崩探测器组件 | 2017.03.29 | 一种四象限雪崩探测器组件，所述四象限雪崩探测器组件由管壳、管座、多根引脚、安装座、四个雪崩探测器、制 |
| 13 | CN103777378B | 提高铌酸锂高速光调制器工作频率及带宽的方法及装置 | 2017.03.29 | 一种铌酸锂高速光调制器，包括：光波导和行波电极，光波导中部和行波电极中部形成共面波导结构的互作用区； |
| 14 | CN106548935A | 制作黑硅层的方法 | 2017.03.29 | 一种制作黑硅层的方法，所述方法的步骤为：1）采用反应离子刻蚀机，在SF<sub>6</sub>和O< |
| 15 | CN104038231B | CMOS图像传感器的非线性信号转换电路 | 2017.03.29 | 本发明公开了一种CMOS图像传感器的非线性信号转换电路；它包括CMOS图像传感器中的像素阵列、计数器 |
| 16 | CN104269739B | 一种低成本大功率半导体基横模激光器芯片结构 | 2017.03.22 | 本发明提供一种低成本大功率半导体基横模激光器芯片结构，包括振荡部分、过渡部分、放大部分和底面沟槽，所 |
| 17 | CN106531728A | 层叠穿通式复合光电探测器 | 2017.03.22 | 一种层叠穿通式复合光电探测器，所述层叠穿通式复合光电探测器由载体板、雪崩探测器芯片、定位板、衬板和多 |
| 18 | CN106514520A | 用于光电编码器狭缝片对准操作的校准盘 | 2017.03.22 | 一种用于光电编码器狭缝片对准操作的校准盘，所述校准盘上沿校准盘周向分别设置有观察孔、安装缺口和调节区 |
| 19 | CN106534729A | 可编程器增益放大器及降低列固定模式噪声方法 | 2017.03.22 | 本发明可编程器增益放大器，通过将放大器输出共模电压和采样复位信号时刻的输出电压做模拟域信号相减或模数 |
| 20 | CN106534726A | 多线阵CCD结构 | 2017.03.22 | 本发明公开了一种多线阵CCD结构，所述多线阵CCD结构由多条CCD线阵、一个垂直转移区和一个放大器组 |
| 21 | CN104377533B | 基于相移光栅进行频率自稳定的光电振荡器 | 2017.03.22 | 为解决现有技术中传统光电振荡器中环境温度变化所引起振荡器频率漂移的问题，本发明提出了一种基于相移光栅 |
| 22 | CN106531828A | 硅基高性能β辐伏电池及其制作方法 | 2017.03.22 | 本发明提出了一种硅基高性能β辐伏电池，所述硅基高性能β辐伏电池由N型硅外延层、P型保护环、P型有源区 |
| 23 | CN106506998A | 一种高动态响应范围CCD图像传感器 | 2017.03.15 | 本发明高动态响应范围CCD图像传感器，具有若干个水平移位寄存器，每个水平移位寄存器后连接有二个倍增寄 |
| 24 | CN106505987A | 适用于高速光电耦合器输出端的信号处理电路 | 2017.03.15 | 一种适用于高速光电耦合器输出端的信号处理电路，所述信号处理电路由光敏二极管、七个三极管、十个电阻和肖 |
| 25 | CN106504281A | 应用于CMOS图像传感器的图像画质增强和滤波方法 | 2017.03.15 | 本发明应用于CMOS图像传感器的图像画质增强和滤波方法，对图像传感器输出的原始Bayer数据进行插值 |
| 26 | CN104538480B | 高速InGaAs光电探测器芯片倒装集成结构及制作方法 | 2017.03.08 | 本发明提供一种高速InGaAs光电探测器芯片倒装集成结构，包括管芯和用于倒装焊接所述管芯的载体，所述 |
| 27 | CN105070780B | 一种平面型三阶梯结雪崩光电二极管及制作方法 | 2017.03.01 | 本发明提供一种平面型三阶梯结雪崩光电二极管，包括衬底，顺序层叠于衬底上的缓冲层、吸收层、渐变层、电场 |
| 28 | CN104900748B | 一种具有不等光电口径的垂直进光雪崩光电二极管 | 2017.03.01 | 本发明提供一种具有不等光电口径的垂直进光雪崩光电二极管，包括衬底，顺序层叠于衬底上的吸收层、场控制层 |
| 29 | CN106449778A | 用于大规模集成的光电耦合器封装结构 | 2017.02.22 | 一种用于大规模集成的光电耦合器封装结构，所述光电耦合器封装结构由陶瓷基板、盖子、发光二极管、光敏芯片 |
| 30 | CN106443909A | 雪崩探测器耦合封装结构 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种雪崩探测器耦合封装结构，所述雪崩探测器耦合封装结构由雪崩探测器、下耦合圈、上耦合圈、 |
| 31 | CN106451061A | 光模块自动温度补偿装置及其控制方法 | 2017.02.22 | 本发明提出了一种光模块自动温度补偿装置，由比较器、偏置电流调节模块、处理模块、调制电流控制模块和偏置 |
| 32 | CN106449512A | 用于超薄硅片加工的工艺夹具 | 2017.02.22 | 一种用于超薄硅片加工的工艺夹具，所述工艺夹具由边框、托板和限位环组成；本发明的有益技术效果是：提供了 |
| 33 | CN106449688A | 制作光敏区布线层的方法 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种制作光敏区布线层的方法，该方法在多晶硅层制作好后，通过激活操作对腐蚀液进行激活，然后 |
| 34 | CN106451059A | 激光器单模稳定性控制装置及方法 | 2017.02.22 | 本发明提供一种激光器单模稳定性控制装置及方法，包括激光器、光电探测器、检波器和控制电路，其中光电探测 |
| 35 | CN106449548A | 电子倍增电荷耦合器件用微型封装结构 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种电子倍增电荷耦合器件用微型封装结构，所述电子倍增电荷耦合器件用微型封装结构由电子倍增 |
| 36 | CN106449689A | 带聚酰亚胺垫层的帧转移可见光CCD | 2017.02.22 | 一种带聚酰亚胺垫层的帧转移可见光CCD，所述帧转移可见光CCD由衬底层、二氧化硅层、氮化硅层、多晶硅 |
| 37 | CN106449856A | 近红外响应的硅基雪崩光电探测器及其制作方法 | 2017.02.22 | 本发明提出了一种近红外响应的硅基雪崩光电探测器，所述近红外响应的硅基雪崩光电探测器由衬底层、光敏区、 |
| 38 | CN106454167A | CCD片上读出电路及其控制方法 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种CCD片上读出电路及其控制方法，所述CCD片上读出电路由浮置栅放大器、缓冲转移区、信 |
| 39 | CN104111545B | 低附加强度的电光相位调制器 | 2017.02.15 | 一种低附加强度的电光相位调制器，包括芯片、光波导和两个电极，其改进在于：缝隙电容在轴向上分别形成三个 |
| 40 | CN104241311B | 可用于多种工作模式的CMOS图像传感器 | 2017.02.15 | 为解决现有技术CMOS图像传感器存在的不能同时兼顾多光谱输出和大量子效率等问题，本发明提出一种可用于 |
| 41 | CN104266761B | 抑制焦平面探测器背景电流的方法 | 2017.02.15 | 一种抑制焦平面探测器背景电流的方法，其创新在于：将运算放大器的输入端与一背景减去电容（4）的一端连接 |
| 42 | CN104242056B | 一种能提高电隔离能力的脊波导芯片结构及制作方法 | 2017.02.15 | 本发明提供一种能提高电隔离能力的脊波导芯片结构，包括在N型衬底上顺序层叠的N型缓冲层、N型下限制层、 |
| 43 | CN106409967A | p‑i‑n<sup>—</sup>‑n型GaN单光子雪崩探测器 | 2017.02.15 | 本发明提供一种p‑i‑n<sup>‑</sup>‑n型GaN单光子雪崩探测器，包括由上向下依次设置的 |
| 44 | CN104104854B | 带制冷器的CCD相机 | 2017.02.15 | 一种带制冷器的CCD相机，其壳体由上盖和底座组成；其散热装置由半导体制冷器、热沉板、波纹管和散热器组 |
| 45 | CN106370204A | 旋转陀螺转速检测方法 | 2017.02.01 | 本发明公开了一种旋转陀螺转速检测方法，该方法将旋转陀螺的周向表面分为两个区域，在其中一个区域上涂覆吸 |
| 46 | CN103826074B | CCD垂直时序驱动电路 | 2017.01.25 | 一种CCD垂直时序驱动电路，由开关模块、稳压电路、功率幅度放大电路、高电平直流源和低电平直流源组成； |
| 47 | CN106356428A | 一种台面型探测器表面钝化层的生长方法 | 2017.01.25 | 本发明公开了一种台面型探测器表面钝化层的生长方法，其包括：在低温环境下采用等离子体化学气相沉积工艺在 |
| 48 | CN106356290A | 1064nm硅基雪崩探测器及其制作方法 | 2017.01.25 | 一种1064nm硅基雪崩探测器，所述1064nm硅基雪崩探测器包括衬底层、光敏区、雪崩区、保护环和截 |
| 49 | CN106357292A | 光电隔离型全双工差分收发器 | 2017.01.25 | 一种光电隔离型全双工差分收发器，由差分信号接收模块、差分信号发送模块、接收端光电隔离模块和发送端光电 |
| 50 | CN106356427A | 一种扩展波长近红外探测器缓冲层的生长方法 | 2017.01.25 | 本发明公开了一种扩展波长近红外探测器缓冲层的生长方法，其包括：在第一温度下采用金属有机化学气相沉积工 |
新闻中心
该公司还没有发布任何新闻
行业动态
该公司还没有发表行业动态
企业资质
该公司还没有上传企业资质
Map(The red dot in the figure below is 中国电子科技集团公司第四十四研究所 at the specific location, the map can drag, double zoom)
Tips: This site is 中国电子科技集团公司第四十四研究所 at mass public network free website, if you are the person in charge of the unit, please click here application personalized two after landing and update your business domain data, you can delete all of your unit page ads, all operations free of charge.
|
中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| Contact:王俊波 |
| Telephone:62814485-3037 |
| 地址:重庆市南岸区南坪花园路14号（重庆市2514信箱）（400060） |
友情链接